池田正則 　Masanori Ikeda            　　　　　　専任講師　Assistant Professor

専門：半導体工学

研究テーマ

(1)C₂H₄との反応によるSi単結晶表面の初期炭化過程の研究

(2)Si表面における酸化膜成長及び酸化膜電荷に及ぼす微量金属不純物の影響

所属学会： 応用物理学会，電子通信情報学会，日本表面科学会

学会活動：日本表面科学会編集委員，東北支部企画委員

研究室　    15号館1階101室(半導体工学研究室)

TEL：024-956-8786　　　　FAX： 024-956-8861

e-mail：mikeda@ee.ce.nihon-u.ac.jp

過去５年間の発表論文

(1)Behavior of Fluorine on Silicon (100) Surfaces Etched with NH₄F Aqueous Solutions: Electronics and Communications in Japan, Part2, 83 [7] (2000) 41-47.

(2)NH₄F水溶液でエッチしたSi(100)表面におけるFの挙動:電子情報通信学会論文誌,C-�U Vol.J82-C-�U No.4 pp.190-196,1999年4月.

(3)走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(001)表面の観察:日 本大学工学部紀要,第41巻,第2号,平成12年3月.

(4)C₂H₄を反応させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究:日本大学工学部紀要, 第41巻, 第2号平成12年3月.

(5)低速電子線回折及びオージェ電子分光法によるC₂H₄暴露したSi(111)表面の研究:日本大学工学部紀要, 第41巻, 第2号,平成12年3月.

(6)Reaction of Si(100) surfaces with C2H4 : XPS and LEED studies, Surf.Sci. 416(1998)240-244.

(7)Si(100)表面における酸素結合状態の加熱処理による変化,表面科学,第18巻 第2号,1997年2月.

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